10月30日，臺灣信息儲存技術(shù)協(xié)會在臺北晶華酒店舉辦第十五屆臺灣信息儲存技術(shù)協(xié)會年會。我司代表受邀參加了此次活動。
會上，頒發(fā)了第15屆臺灣信息儲存技術(shù)獎項，今年 “杰出信息儲存獎?wù)隆钡锚務(wù)邽閲⒔煌ù髮W(xué)終身講座教授施敏教授，他與其領(lǐng)導(dǎo)的團隊在51年前發(fā)明了“浮動閘極存儲效應(yīng)(Floating Gate Memory Effect)”，此獎?wù)乱彩桥_灣信息儲存界最高的榮譽獎。
施敏博士于1967年發(fā)現(xiàn)“浮動閘極存儲效應(yīng)(Floating Gate Memory Effect)”，此一重大的發(fā)現(xiàn)成為包括閃存(Flash Memory)在內(nèi)所有可程序化“非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器件”的基礎(chǔ)，這項劃時代的發(fā)現(xiàn)促成信息儲存的革命性發(fā)展并開啟了數(shù)字時代。
活動期間，我司代表與施敏教授，以及其他產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、專家學(xué)者進行了深入的溝通交流，為兩地未來在存儲技術(shù)的互動合作奠定基礎(chǔ)。
成立已逾15年的臺灣信息儲存技術(shù)協(xié)會一直致力于加速臺灣信息儲存關(guān)鍵性技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品的規(guī)格創(chuàng)新，推動上、中、下游之分工與整合，解決共通性之技術(shù)問題，建立完整的信息儲存基礎(chǔ)環(huán)境與產(chǎn)業(yè)體系。 |
