2017年3月27日，為紀念施敏教授“浮動閘極存儲效應(Floating Gate Memory)”發(fā)明50周年，“非揮發(fā)性存儲 – 數(shù)字時代的技術推動力”國際研討會在臺灣交通大學舉辦。
本次研討會邀請了施敏教授等7位在非揮發(fā)性存儲技術領域的頂尖國際專家演講，并分享了他們對未來存儲技術發(fā)展趨勢的觀點。中國科學院院士、中國科學院微電子器件與集成技術重點實驗室主任劉明等來自全球各地的百余名業(yè)界專家學者、企業(yè)代表和交通大學學生參加了本次研討會。我公司代表也應邀參加了了本次活動 。
50年前，施敏教授和其領導的團隊發(fā)明了浮動閘極存儲效應技術，從而引發(fā)了在非揮發(fā)性存儲技術方面的科技革命并一直延續(xù)到今天。浮動閘極存儲效應的發(fā)明為后來一系列存儲器件（包括Flash存儲器和EEPROM等）的誕生創(chuàng)造了條件，是移動電話、筆記本電腦、IC卡、數(shù)碼相機及便攜式電子產(chǎn)品的關鍵部件，對人類科技進步產(chǎn)生了積極推動作用，尤其是對存儲器領域的進步產(chǎn)生了重大影響。
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