|
9月9日，關(guān)注FD-SOI工藝的2016上海FD-SOI論壇開(kāi)幕，來(lái)自業(yè)界的約280位公司CEO，研究院所和技術(shù)高管齊聚，我司代表應(yīng)邀參加了此次論壇。
會(huì)議由芯原股份有限公司創(chuàng)始人董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民主持。中國(guó)科學(xué)院院士，上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長(zhǎng)王曦，華芯投資總裁路軍、中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春在會(huì)上分別致辭，祝賀論壇的舉辦。
戴偉民博士作了題為《打造中國(guó)的FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)》的演講，從FD-SOI技術(shù)工藝、FD-SOI在中國(guó)的發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)在中國(guó)的發(fā)展趨勢(shì)等幾個(gè)方面與與會(huì)來(lái)賓進(jìn)行了深入的分析與交流。
圖為芯原股份有限公司創(chuàng)始人董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民主持論壇
中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長(zhǎng)王曦在論壇致辭中說(shuō)道： “2016年是對(duì)IC行業(yè)非常好的一年，FD-SOI是個(gè)非常高性?xún)r(jià)比的方案，中國(guó)在FD-SOI應(yīng)用發(fā)揮了巨大的作用”。華芯投資總裁路軍認(rèn)為FD-SOI的高性能和低功耗將成為FinFET工藝的有力補(bǔ)充。
圖為中國(guó)科學(xué)院院士，上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長(zhǎng)王曦
圖為華芯投資總裁路軍致開(kāi)幕詞
圖為中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春在發(fā)表演講
科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春在講話中表示：他見(jiàn)證了FD-SOI不斷壯大，在未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)日益走熱的背景下，FD-SOI如果有大規(guī)模商用，是不是要考慮一個(gè)商業(yè)模式問(wèn)題？FD-SOI有天然的優(yōu)勢(shì)，是不是要考慮終端廠家從產(chǎn)品定義角度來(lái)發(fā)揮這個(gè)工藝的優(yōu)勢(shì)？
會(huì)上，三星LSI執(zhí)行副總裁Jong-Shik
Yoon、格羅方德產(chǎn)品管理高級(jí)副總裁Alain Mutricy、索尼物聯(lián)網(wǎng)事業(yè)部總經(jīng)理Nobuyasu Matsuoka、ARM物理IP總經(jīng)理Will Abbey、格羅方德首席技術(shù)官兼全球研發(fā)高級(jí)副總裁Gary Patton、IBS首席執(zhí)行官Handel
Jones、CEA-Leti首席執(zhí)行官Marie-Noelle
Semeria、復(fù)旦微電子總工程師沈磊、Invecas首席執(zhí)行官Dasaradha Gude、Ineda Systems副總裁Manoher Bommena、Soitec首席執(zhí)行官Paul Boudre、聯(lián)芯科技高級(jí)副總裁成飛、格羅方德副總裁Subramani
Kengeri、展訊通訊首席執(zhí)行官李力游等與會(huì)專(zhuān)家從多方位、多角度的方面闡述了FD-SOI的廣泛應(yīng)用，與會(huì)專(zhuān)家一致表示未來(lái)FD-SOI在中國(guó)的發(fā)展前景潛力巨大，FD-SOI與FinFET的互補(bǔ),是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車(chē)機(jī)會(huì)，助力中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)快速崛起。
目前晶圓制造工藝有多種選擇，其中以FinFET工藝和FD-SOI工藝最具代表性。FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）工藝是目前主流的晶圓制造工藝，被包括臺(tái)積電，三星，英特爾，聯(lián)電等晶圓廠廣泛采用。2011年，英特爾公司正式推出商業(yè)化的FinFET工藝同時(shí)使用22nm工藝，目前16nm及14nm工藝也已近成功量產(chǎn)。FinFET工藝性能先進(jìn)，功耗低，面積小，適合生產(chǎn)制造手機(jī)，平板電腦等便攜鏟平處理器。FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）工藝具有工藝簡(jiǎn)單，成本低，兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，有望成為其30納米以下的工藝節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝，并及Bulk CMOS工藝的有力替補(bǔ)。
|
