3月26日上午，由安徽省外國專家局主辦，合肥高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)、中國科技大學微電子學院、安徽大學電子信息工程學院、合肥市半導體行業(yè)協(xié)會承辦的施敏院士-海外名師大講堂在書法大廈隆重舉辦。省經(jīng)濟和信息化廳副廳長王厚亮出席了活動。本次大講堂由合肥市半導體行業(yè)協(xié)會理事長陳軍寧主持。
施敏教授帶來了題為“浮柵存儲器：從概念到閃存到第四次工業(yè)革命的演變（The Floating-Gate Memory, from Concept to Flash Memory to the Fourth Industrial Revolution）”的學術報告。施敏教授回顧了他本人發(fā)明浮柵結構非揮發(fā)性存儲器的具體過程，講述了浮柵存儲器的工作原理、優(yōu)點和隨后的發(fā)展歷程，詳細介紹了浮柵存儲器的廣泛的應用和對經(jīng)濟社會發(fā)展的深遠影響，分析了浮柵存儲器在尺寸微縮過程中面臨的挑戰(zhàn)以及各類新型非易失存儲器的優(yōu)點和前景。在互動環(huán)節(jié)，施敏教授一一回答了參會代表提出的問題，并鼓勵正在或者即將投身半導體事業(yè)的有識之士努力奮斗，為中國集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)中國芯貢獻自己的力量！
來自協(xié)會會員單位晶合集成電路、宏晶微電子等企業(yè)組織研發(fā)人員、在職培訓人員等參加了本次活動，此外安徽大學、合肥學院的相關專業(yè)師生共計300余人參加了本次講座。
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施敏，1936年出生于南京，美籍華人�，F(xiàn)任中國工程院外籍院士、美國國家工程院院士、中國臺灣中央研究院院士、中國臺灣工業(yè)研究院院士、IEEE Life Fellow。1991年獲得IEEE電子器件最高榮譽獎（Ebers獎）；2017年與Gordon E Moore（摩爾定律之父）共同獲得IEEE Celebrated Member（尊榮會員）稱號，目前全球僅10位科學家獲此殊榮，包括1973年諾貝爾物理獎得主Leo Esaki、2000年諾貝爾物理獎得主Herbert Kroemer及2009年諾貝爾物理獎得主George E. Smith。
施敏先生是國際著名的微電子科學技術與半導體器件專家和教育家，是非揮發(fā)MOS場效應記憶晶體管（NVSM）的發(fā)明者，在金半接觸、微波器件及金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術等領域作出了奠基性、前瞻性和開創(chuàng)性的貢獻（2017 IEDM Plenary Awards評）。施敏先生發(fā)明的非揮發(fā)MOS場效應記憶晶體管（閃存）已成為當今世界上集成電路產(chǎn)業(yè)主導產(chǎn)品之一，是移動電話、筆記本電腦、IC卡、數(shù)碼相機及便攜式電子產(chǎn)品的關鍵部件，還促進了人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、機器人和固態(tài)驅動器等技術的發(fā)展。因此項發(fā)明，他已多次獲得諾貝爾物理獎提名。
施敏先生在微電子科學技術著作方面舉世聞名，所著的《半導體器件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)是目前全世界所有工程及應用科學領域最暢銷的教科書之一，曾被翻譯成六種語言，銷售超過600萬冊，引用次數(shù)達47500多次，有“半導體界的圣經(jīng)”之稱。
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