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9月9日，關(guān)注FD-SOI工藝的2016上海FD-SOI論壇開幕，來自業(yè)界的約280位公司CEO，研究院所和技術(shù)高管齊聚，我司代表應(yīng)邀參加了此次論壇。
會議由芯原股份有限公司創(chuàng)始人董事長兼總裁戴偉民主持。中國科學(xué)院院士，上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長王曦，華芯投資總裁路軍、中科院微電子所所長葉甜春在會上分別致辭，祝賀論壇的舉辦。
戴偉民博士作了題為《打造中國的FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)》的演講，從FD-SOI技術(shù)工藝、FD-SOI在中國的發(fā)展現(xiàn)狀和未來在中國的發(fā)展趨勢等幾個方面與與會來賓進行了深入的分析與交流。
圖為芯原股份有限公司創(chuàng)始人董事長兼總裁戴偉民主持論壇
中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長王曦在論壇致辭中說道： “2016年是對IC行業(yè)非常好的一年，FD-SOI是個非常高性價比的方案，中國在FD-SOI應(yīng)用發(fā)揮了巨大的作用”。華芯投資總裁路軍認(rèn)為FD-SOI的高性能和低功耗將成為FinFET工藝的有力補充。
圖為中國科學(xué)院院士，上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長王曦
圖為華芯投資總裁路軍致開幕詞
圖為中科院微電子所所長葉甜春在發(fā)表演講
科院微電子所所長葉甜春在講話中表示：他見證了FD-SOI不斷壯大，在未來物聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)日益走熱的背景下，FD-SOI如果有大規(guī)模商用，是不是要考慮一個商業(yè)模式問題？FD-SOI有天然的優(yōu)勢，是不是要考慮終端廠家從產(chǎn)品定義角度來發(fā)揮這個工藝的優(yōu)勢？
會上，三星LSI執(zhí)行副總裁Jong-Shik
Yoon、格羅方德產(chǎn)品管理高級副總裁Alain Mutricy、索尼物聯(lián)網(wǎng)事業(yè)部總經(jīng)理Nobuyasu Matsuoka、ARM物理IP總經(jīng)理Will Abbey、格羅方德首席技術(shù)官兼全球研發(fā)高級副總裁Gary Patton、IBS首席執(zhí)行官Handel
Jones、CEA-Leti首席執(zhí)行官Marie-Noelle
Semeria、復(fù)旦微電子總工程師沈磊、Invecas首席執(zhí)行官Dasaradha Gude、Ineda Systems副總裁Manoher Bommena、Soitec首席執(zhí)行官Paul Boudre、聯(lián)芯科技高級副總裁成飛、格羅方德副總裁Subramani
Kengeri、展訊通訊首席執(zhí)行官李力游等與會專家從多方位、多角度的方面闡述了FD-SOI的廣泛應(yīng)用，與會專家一致表示未來FD-SOI在中國的發(fā)展前景潛力巨大，FD-SOI與FinFET的互補,是中國芯片業(yè)彎道超車機會，助力中國半導(dǎo)體業(yè)快速崛起。
目前晶圓制造工藝有多種選擇，其中以FinFET工藝和FD-SOI工藝最具代表性。FinFET（鰭式場效晶體管）工藝是目前主流的晶圓制造工藝，被包括臺積電，三星，英特爾，聯(lián)電等晶圓廠廣泛采用。2011年，英特爾公司正式推出商業(yè)化的FinFET工藝同時使用22nm工藝，目前16nm及14nm工藝也已近成功量產(chǎn)。FinFET工藝性能先進，功耗低，面積小，適合生產(chǎn)制造手機，平板電腦等便攜鏟平處理器。FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）工藝具有工藝簡單，成本低，兼容性強等優(yōu)勢，有望成為其30納米以下的工藝節(jié)點中成本效益最高的制造工藝，并及Bulk CMOS工藝的有力替補。
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